IXFV18N60P Todos los transistores

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IXFV18N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFV18N60P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 360 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS220

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IXFV18N60P Datasheet (PDF)

1.1. ixfh18n60p ixfv18n60p.pdf Size:172K _ixys

IXFV18N60P
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IXFH 18N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 18N60P ID25 = 18 A Power MOSFET ? ? IXFV 18N60PS RDS(on) ? 400 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 200 ns ? ? ? Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 600 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 600 V VGS Continuous 30 V VGSM Tranisent 4

5.1. ixfh12n90p ixfv12n90p-s.pdf Size:179K _ixys

IXFV18N60P
IXFV18N60P

Preliminary Technical Information IXFH12N90P VDSS = 900V PolarTM Power MOSFET IXFV12N90P ID25 = 12A HiPerFETTM ? ? RDS(on) ? ? ? 900m? ? ? IXFV12N90PS ? ? ? trr ? ? 300ns ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated PLUS220 (IXFV) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25C to 150C 900 V D (TAB) VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M? 900

5.2. ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf Size:309K _ixys

IXFV18N60P
IXFV18N60P

IXFH 110N10P VDSS = 100 V PolarHTTM HiPerFET IXFV 110N10P ID25 = 110 A Power MOSFET ? ? IXFV 110N10PS RDS(on) ? 15 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 150 ns ? ? ? Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M? 100 V VGSS Continuous 20 V G VGSM Tran

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