IXFV20N80P Todos los transistores

 

IXFV20N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFV20N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFV20N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  ixys
 ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf pdf_icon

IXFV20N80P

IXFH 20N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 20N80PID25 = 20 APower MOSFETIXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 20N80PStrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

 9.1. Size:197K  ixys
 ixfh26n60p ixft26n60p ixfv26n60p.pdf pdf_icon

IXFV20N80P

IXFH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXFT26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXFV26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXFV26N60PS trr 200 nsFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin

 9.2. Size:295K  ixys
 ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf pdf_icon

IXFV20N80P

IXFH 22N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N60PID25 = 22 APower MOSFETsIXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

 9.3. Size:323K  ixys
 ixfv26n50p ixfh26n50p.pdf pdf_icon

IXFV20N80P

IXFH 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 26N50P ID25 = 26 APower MOSFET IXFV 26N50PS RDS(on) 230 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V TO-247 (IXFH)

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History: STN4NF20L | MTN50N06E3 | CPC3730 | NDT4N65P | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
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