IXFV74N20P Todos los transistores

 

IXFV74N20P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFV74N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220

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Principales características: IXFV74N20P

 ..1. Size:185K  ixys
 ixfv74n20p ixfv74n20ps ixfh74n20p.pdf pdf_icon

IXFV74N20P

PolarHTTM Power VDSS = 200V IXFV74N20P ID25 = 74A MOSFET HiPerFETTM IXFV74N20PS RDS(on) 34m IXFH74N20P trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V S D (TAB) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 200

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