Справочник MOSFET. IXFV74N20P

 

IXFV74N20P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFV74N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 107 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220

 Аналог (замена) для IXFV74N20P

 

 

IXFV74N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ixys
 ixfv74n20p ixfv74n20ps ixfh74n20p.pdf

IXFV74N20P IXFV74N20P

PolarHTTM Power VDSS = 200VIXFV74N20PID25 = 74AMOSFET HiPerFETTM IXFV74N20PS RDS(on) 34m IXFH74N20Ptrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS220 (IXFV)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C 200 VSD (TAB)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 200

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top