IXFV74N20P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFV74N20P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: PLUS220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFV74N20P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV74N20P даташит

 ..1. Size:185K  ixys
 ixfv74n20p ixfv74n20ps ixfh74n20p.pdf pdf_icon

IXFV74N20P

PolarHTTM Power VDSS = 200V IXFV74N20P ID25 = 74A MOSFET HiPerFETTM IXFV74N20PS RDS(on) 34m IXFH74N20P trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V S D (TAB) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 200

Другие IGBT... IXFV30N50P, IXFV30N50PS, IXFV30N60P, IXFV30N60PS, IXFV36N50P, IXFV36N50PS, IXFV52N30P, IXFV52N30PS, IRF9540, IXFV74N20PS, IXFV96N15P, IXFV96N15PS, IXFV96N20P, IXFX120N25, IXFX120N25P, IXFX120N30T, IXFX140N25T