IXFX32N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFX32N100P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXFX32N100P MOSFET
IXFX32N100P Datasheet (PDF)
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf
IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf
VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf
Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)
Otros transistores... IXFX25N90 , IXFX26N100P , IXFX26N120P , IXFX26N60Q , IXFX27N80Q , IXFX30N100Q2 , IXFX30N110P , IXFX320N17T2 , 75N75 , IXFX32N100Q3 , IXFX32N50 , IXFX32N80P , IXFX32N80Q3 , IXFX360N10T , IXFX360N15T2 , IXFX38N80Q2 , IXFX40N90P .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP40H10NF | AP40H04NF | AP40G03NF | AP3P10S | AP3P10MI | AP3P06LI | AP3P06BI | AP3P06AI | AP3N50D | AP3N10BI | AP3N06MI | AP3N06I | AP35H04NF | AP3415A | AP3410MI | SSC8P22CN2
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