IXFX38N80Q2 Todos los transistores

 

IXFX38N80Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX38N80Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXFX38N80Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:161K  ixys
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IXFX38N80Q2

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

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IXFX38N80Q2

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 30N50Q500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

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 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX38N80Q2

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

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 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX38N80Q2

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

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History: AP2306GN | 12N65H | BLM03N03-D | 2SK3686-01 | TN2404K | STW37N60DM2AG | STT468A

 

 
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