IXFX38N80Q2 Todos los transistores

 

IXFX38N80Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX38N80Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFX38N80Q2

 

Principales características: IXFX38N80Q2

 9.1. Size:161K  ixys
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IXFX38N80Q2

IXFK 32N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 32N80P ID25 = 32 A Power MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Contin

 9.2. Size:123K  ixys
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IXFX38N80Q2

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK/IXFX 30N50Q 500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 9.3. Size:573K  ixys
 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX38N80Q2

VDSS ID25 RDS(on) IXFK 32N50Q HiPerFETTM IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 9.4. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX38N80Q2

Advance Technical Information PolarTM HiPerFETTM VDSS = 900V IXFK32N90P Power MOSFETs ID25 = 32A IXFX32N90P RDS(on)

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