IXFX44N50Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX44N50Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXFX44N50Q datasheet

 ..1. Size:574K  ixys
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IXFX44N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 m Power MOSFETs IXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150

 5.1. Size:126K  ixys
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IXFX44N50Q

HiPerRFTM VDSS = 500V IXFK44N50F ID25 = 44A Power MOSFETs IXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class MegaHertz Switching trr 250ns Single MOSFET Die TO-264 (IXFK) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr G D Tab S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C

 6.1. Size:100K  ixys
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IXFX44N50Q

Advance Technical Information IXFK 44N55Q VDSS = 550 V HiPerFETTM IXFX 44N55Q ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low t rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 550

 7.1. Size:233K  ixys
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IXFX44N50Q

PolarTM IXFK44N80P VDSS = 800V HiperFETTM ID25 = 44A IXFX44N80P Power MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement Mode TO-264 (IXFK) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 800 V PLUS247 (IXFX) VGSS Continuous 30

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