IXFX44N80Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFX44N80Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFX44N80Q3

IXFX44N80Q3 Datasheet (PDF)

5.1. Size:233K ixys
ixfk44n80p ixfx44n80p.pdf

PolarTMIXFK44N80P VDSS = 800VHiperFETTMID25 = 44AIXFX44N80PPower MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXFK)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTabVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 800 VPLUS247 (IXFX)VGSS Continuous 30

7.1. Size:100K ixys
ixfx44n55q.pdf

Advance Technical InformationIXFK 44N55QVDSS = 550 VHiPerFETTMIXFX 44N55QID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 550

7.2. Size:104K ixys
ixfx44n60 ixfk44n60.pdf

HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 VIXFK 44N60 ID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 130 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C44 ATO-264 AA (IXFK)IDM TC = 25C, pulse width limite

7.3. Size:126K ixys
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

7.4. Size:574K ixys
ixfk48n50q ixfx48n50q ixfk44n50q ixfx44n50q.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mPower MOSFETsIXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: