Справочник MOSFET. IXFX44N80Q3

 

IXFX44N80Q3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFX44N80Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 6.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 185 nC
   Время нарастания (tr): 300 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXFX44N80Q3

 

 

IXFX44N80Q3 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:233K  ixys
ixfk44n80p ixfx44n80p.pdf

IXFX44N80Q3
IXFX44N80Q3

PolarTMIXFK44N80P VDSS = 800VHiperFETTMID25 = 44AIXFX44N80PPower MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXFK)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTabVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 800 VPLUS247 (IXFX)VGSS Continuous 30

 7.1. Size:100K  ixys
ixfx44n55q.pdf

IXFX44N80Q3
IXFX44N80Q3

Advance Technical InformationIXFK 44N55QVDSS = 550 VHiPerFETTMIXFX 44N55QID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 550

 7.2. Size:104K  ixys
ixfx44n60 ixfk44n60.pdf

IXFX44N80Q3
IXFX44N80Q3

HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 VIXFK 44N60 ID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 130 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C44 ATO-264 AA (IXFK)IDM TC = 25C, pulse width limite

 7.3. Size:126K  ixys
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf

IXFX44N80Q3
IXFX44N80Q3

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

 7.4. Size:574K  ixys
ixfk48n50q ixfx48n50q ixfk44n50q ixfx44n50q.pdf

IXFX44N80Q3
IXFX44N80Q3

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mPower MOSFETsIXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top