IXFX44N80Q3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFX44N80Q3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFX44N80Q3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX44N80Q3 даташит

 5.1. Size:233K  ixys
ixfk44n80p ixfx44n80p.pdfpdf_icon

IXFX44N80Q3

PolarTM IXFK44N80P VDSS = 800V HiperFETTM ID25 = 44A IXFX44N80P Power MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement Mode TO-264 (IXFK) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 800 V PLUS247 (IXFX) VGSS Continuous 30

 7.1. Size:100K  ixys
ixfx44n55q.pdfpdf_icon

IXFX44N80Q3

Advance Technical Information IXFK 44N55Q VDSS = 550 V HiPerFETTM IXFX 44N55Q ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low t rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 550

 7.2. Size:104K  ixys
ixfx44n60 ixfk44n60.pdfpdf_icon

IXFX44N80Q3

HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 V IXFK 44N60 ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 130 mW Single MOSFET Die trr 250 ns PLUS 247TM (IXFX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C44 A TO-264 AA (IXFK) IDM TC = 25 C, pulse width limite

 7.3. Size:126K  ixys
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdfpdf_icon

IXFX44N80Q3

HiPerRFTM VDSS = 500V IXFK44N50F ID25 = 44A Power MOSFETs IXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class MegaHertz Switching trr 250ns Single MOSFET Die TO-264 (IXFK) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr G D Tab S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C

Другие IGBT... IXFX360N10T, IXFX360N15T2, IXFX38N80Q2, IXFX40N90P, IXFX420N10T, IXFX44N50F, IXFX44N50Q, IXFX44N80P, P60NF06, IXFX48N55, IXFX48N60P, IXFX48N60Q3, IXFX520N075T2, IXFX52N60Q2, IXFX55N50F, IXFX60N55Q2, IXFX62N25