IXFX52N60Q2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX52N60Q2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXFX52N60Q2 datasheet

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IXFX52N60Q2

Advance Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 75V IXFK520N075T2 HiperFETTM ID25 = 520A IXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V Tab D S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 75 V V

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IXFX52N60Q2

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFX 50N50 500 V 50 A 100 m Power MOSFETs IXFX 55N50 500 V 55 A 80 m trr 250 ns Single Die MOSFET Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM

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IXFX52N60Q2

VDSS = 500 V IXFK 55N50 HiPerFETTM ID25 = 55 A IXFX 55N50 Power MOSFET RDS(on) = 90m IXFN 55N50 250 ns trr Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C 500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) G C ID25 TC = 25 C55 A E IDM TC = 2

Otros transistores... IXFX44N50F, IXFX44N50Q, IXFX44N80P, IXFX44N80Q3, IXFX48N55, IXFX48N60P, IXFX48N60Q3, IXFX520N075T2, IRF1405, IXFX55N50F, IXFX60N55Q2, IXFX62N25, IXFX64N50P, IXFX64N50Q3, IXFX64N60P, IXFX64N60P3, IXFX64N60Q3