IXFX80N50P Todos los transistores

 

IXFX80N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX80N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXFX80N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  ixys
 ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf pdf_icon

IXFX80N50P

IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient

Otros transistores... IXFX64N50Q3 , IXFX64N60P , IXFX64N60P3 , IXFX64N60Q3 , IXFX66N50Q2 , IXFX73N30Q , IXFX74N50P2 , IXFX78N50P3 , HY1906P , IXFX80N50Q3 , IXFX80N60P3 , IXFX88N20Q , IXFX94N50P2 , IXFX98N50P3 , IXFZ140N25T , IXFZ520N075T2 , IXKC13N80C .

History: IXFN82N60Q3 | HM4N65 | MDS3653URH

 

 
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