Справочник MOSFET. IXFX80N50P

 

IXFX80N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX80N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX80N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  ixys
 ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf pdf_icon

IXFX80N50P

IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NVD5C668NL | AP4604IN | 2SK1637 | 2SK1471 | STD14NM50N | IRLSZ34A | IRL8113LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.