IXKC20N60C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXKC20N60C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

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IXKC20N60C datasheet

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IXKC20N60C

IXKC 20N60C VDSS = 600 V CoolMOS 1) Power MOSFET ID25 = 15 A RDS(on) max = 190 m Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode D ISOPLUS220TM Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge G G D S isolated tab S E72873 Features MOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratings substrate

 9.1. Size:262K  ixys
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IXKC20N60C

IXKC 23N60C5 ID25 = 23 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode D ISOPLUS220TM Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge G G D S isolated back S surface E72873 Preliminary data Features MOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions

Otros transistores... IXFX88N20Q, IXFX94N50P2, IXFX98N50P3, IXFZ140N25T, IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5, IXKC19N60C5, IRF540N, IXKC23N60C5, IXKC25N80C, IXKC40N60C, IXKF40N60SCD1, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IXKH30N60C5, IXKH35N60C5