Справочник MOSFET. IXKC20N60C

 

IXKC20N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKC20N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKC20N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  ixys
 ixkc20n60c.pdf pdf_icon

IXKC20N60C

IXKC 20N60CVDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 15 ARDS(on) max = 190 mElectrically isolated back surface2500 V electrical isolationN-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated tabSE72873FeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate

 9.1. Size:262K  ixys
 ixkc23n60c5.pdf pdf_icon

IXKC20N60C

IXKC 23N60C5ID25 = 23 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated backS surfaceE72873Preliminary dataFeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF6622 | INJ0001AC1 | CS4482DY | BUK106-50S | FIR6N90FG | IRLI2910PBF | 2SK4075-ZK

 

 
Back to Top

 


 
.