IXKC20N60C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXKC20N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS220
Аналог (замена) для IXKC20N60C
IXKC20N60C Datasheet (PDF)
ixkc20n60c.pdf
IXKC 20N60CVDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 15 ARDS(on) max = 190 mElectrically isolated back surface2500 V electrical isolationN-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated tabSE72873FeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate
ixkc23n60c5.pdf
IXKC 23N60C5ID25 = 23 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated backS surfaceE72873Preliminary dataFeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions
Другие MOSFET... IXFX88N20Q , IXFX94N50P2 , IXFX98N50P3 , IXFZ140N25T , IXFZ520N075T2 , IXKC13N80C , IXKC15N60C5 , IXKC19N60C5 , IRF540N , IXKC23N60C5 , IXKC25N80C , IXKC40N60C , IXKF40N60SCD1 , IXKH20N60C5 , IXKH24N60C5 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 .
History: PTA20N60A | AM2300N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565



