IXKP10N60C5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXKP10N60C5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXKP10N60C5

IXKP10N60C5 Datasheet (PDF)

9.1. Size:100K ixys
ixkp13n60c5m.pdf

IXKP 13N60C5MID25 = 6.5 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.3 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

Otros transistores... IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IRFB4115 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: