IXKP10N60C5M Todos los transistores

 

IXKP10N60C5M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKP10N60C5M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXKP10N60C5M Datasheet (PDF)

 9.1. Size:100K  ixys
 ixkp13n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP10N60C5M

IXKP 13N60C5MID25 = 6.5 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.3 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

Otros transistores... IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IRFP250N , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C , IXKR40N60C .

History: SI3493DV | HM4828A | SQD50P04-09L | SQD25N06-22L | SQD50N04-5M0

 

 
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