IXKP10N60C5M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKP10N60C5M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXKP10N60C5M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP10N60C5M даташит

 9.1. Size:100K  ixys
 ixkp13n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP10N60C5M

IXKP 13N60C5M ID25 = 6.5 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.3 Fully isolated package N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET D TO-220 FP Ultra low gate charge G D G S Preliminary data S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capabi

Другие IGBT... IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IXKH70N60C5, IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IRFB4115, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, IXKR40N60C