IXKP10N60C5M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXKP10N60C5M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 260 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.385 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXKP10N60C5M
IXKP10N60C5M Datasheet (PDF)
ixkp13n60c5m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IXKP 13N60C5MID25 = 6.5 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.3 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![IXKP10N60C5M](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IXKP10N60C5M](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IXKP10N60C5M](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C