Справочник MOSFET. IXKP10N60C5M

 

IXKP10N60C5M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKP10N60C5M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXKP10N60C5M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP10N60C5M Datasheet (PDF)

 9.1. Size:100K  ixys
 ixkp13n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP10N60C5M

IXKP 13N60C5MID25 = 6.5 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.3 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

Другие MOSFET... IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IRFP250N , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C , IXKR40N60C .

History: SI3493DV | SQD25N06-22L | SQD50N04-5M0 | HM4828A | SQD50P04-09L

 

 
Back to Top

 


 
.