IXKP20N60C5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXKP20N60C5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 340 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXKP20N60C5 datasheet

 ..1. Size:272K  inchange semiconductor
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IXKP20N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 180m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switched mode power supplies Uninterruptible power suppli

 0.1. Size:101K  ixys
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IXKP20N60C5

IXKP 20N60C5M ID25 = 7.6 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.2 Fully isolated package N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET D TO-220 FP Ultra low gate charge G D G S Preliminary data S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capabi

Otros transistores... IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, 8205A, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, IXKR40N60C, IXKR47N60C5, IXTA05N100, IXTA05N100P