IXKP20N60C5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKP20N60C5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXKP20N60C5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP20N60C5 даташит

 ..1. Size:272K  inchange semiconductor
 ixkp20n60c5.pdf pdf_icon

IXKP20N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 180m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switched mode power supplies Uninterruptible power suppli

 0.1. Size:101K  ixys
 ixkp20n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP20N60C5

IXKP 20N60C5M ID25 = 7.6 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.2 Fully isolated package N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET D TO-220 FP Ultra low gate charge G D G S Preliminary data S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capabi

Другие IGBT... IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, 8205A, IXKP20N60C5M, IXKP24N60C5, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, IXKR40N60C, IXKR47N60C5, IXTA05N100, IXTA05N100P