IXKP20N60C5M Todos los transistores

 

IXKP20N60C5M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKP20N60C5M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 340 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXKP20N60C5M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ixys
 ixkp20n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP20N60C5M

IXKP 20N60C5MID25 = 7.6 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.2 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

 3.1. Size:272K  inchange semiconductor
 ixkp20n60c5.pdf pdf_icon

IXKP20N60C5M

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 180m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitched mode power suppliesUninterruptible power suppli

Otros transistores... IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , STP75NF75 , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C , IXKR40N60C , IXKR47N60C5 , IXTA05N100 , IXTA05N100P , IXTA06N120P .

History: SVF20N60F | HM20N60A | TSM4513DCS | MTB60P06H8 | QM3201S | FMV20N60S1 | CM20N60

 

 
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