IXTA08N120P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTA08N120P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 900 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm

Encapsulados: TO263

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IXTA08N120P datasheet

 6.1. Size:177K  ixys
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IXTA08N120P

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel TO-252 (IXTY) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXTA) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G S PD TC = 25 C60 W D (Tab) TJ -

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IXTA08N120P

Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel D TO-252 (IXTY) G S G D (Tab) S TO-263 AA (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V S D (Tab) VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220AB (IXTP) PD TC = 25 C60 W TJ

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IXTA08N120P

Advance Technical Information High Voltage VDSX = 1000V IXTA08N100D2HV Depletion Mode ID(on) > 800mA MOSFET RDS(on) 21 N-Channel TO-263HV G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGX TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V G = Gate D = Drain VGSX Continuous 20 V S = Source Tab = Drain

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