IXTA12N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTA12N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTA12N50P

IXTA12N50P Datasheet (PDF)

7.1. Size:200K ixys
ixta12n65x2 ixth12n65x2 ixtp12n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTA12N65X2Power MOSFET ID25 = 12AIXTP12N65X2 RDS(on) 300m IXTH12N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30

7.2. Size:344K ixys
ixta12n70x2 ixtp12n70x2 ixth12n70x2.pdf

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 700VIXTA12N70X2Power MOSFET ID25 = 12AIXTP12N70X2 RDS(on) 300m IXTH12N70X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 700 VVGSS Continuous 30 V

7.3. Size:257K inchange semiconductor
ixta12n70x2.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA12N70X2FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingLow gate chargeHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

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Liste

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