IXTA12N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTA12N50P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXTA12N50P
IXTA12N50P Datasheet (PDF)
ixta12n65x2 ixth12n65x2 ixtp12n65x2.pdf
Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTA12N65X2Power MOSFET ID25 = 12AIXTP12N65X2 RDS(on) 300m IXTH12N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30
ixta12n70x2 ixtp12n70x2 ixth12n70x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 700VIXTA12N70X2Power MOSFET ID25 = 12AIXTP12N70X2 RDS(on) 300m IXTH12N70X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 700 VVGSS Continuous 30 V
ixta12n70x2.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA12N70X2FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingLow gate chargeHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
