IXTA152N085T7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTA152N085T7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 152 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTA152N085T7

IXTA152N085T7 Datasheet (PDF)

..1. Size:196K ixys
ixta152n085t7.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA152N085T7TrenchMVTMID25 = 152 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

2.1. Size:214K ixys
ixta152n085t ixtp152n085t.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA152N085TTrenchMVTMID25 = 152 AIXTP152N085TPower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

2.2. Size:258K inchange semiconductor
ixta152n085t.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA152N085TFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

8.1. Size:167K ixys
ixta15n50l2.pdf

Linear L2TM VDSS = 500VIXTA15N50L2Power MOSFETs ID25 = 15AIXTP15N50L2 RDS(on) 480m w/ Extended FBSOAIXTH15N50L2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 20 V

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: