IXTA90N075T2 Todos los transistores

 

IXTA90N075T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA90N075T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IXTA90N075T2 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:215K  ixys
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IXTA90N075T2

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

Otros transistores... IXTA80N10T7 , IXTA80N12T2 , IXTA86N20T , IXTA88N085T , IXTA88N085T7 , IXTA8N50P , IXTA90N055T , IXTA90N055T2 , IRFP250 , IXTA90N15T , IXTA96P085T , IXTA98N075T , IXTA98N075T7 , IXTB30N100L , IXTB62N50L , IXTC110N055T , IXTC110N25T .

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