IXTC110N055T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTC110N055T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

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IXTC110N055T datasheet

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IXTC110N055T

Trench Gate VDSS = 250V IXTC110N25T Power MOSFET ID25 = 50A RDS(on) 27m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS220 (IXTC) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Continuous 20 V G VGSM Transient 30 V D

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IXTC110N055T

Preliminary Technical Information IXTC160N10T VDSS = 100 V TrenchMVTM ID25 = 83 A Power MOSFET RDS(on) 7.5 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220 (IXTC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGSM Transient

Otros transistores... IXTA90N055T2, IXTA90N075T2, IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, IXTA98N075T7, IXTB30N100L, IXTB62N50L, AO3407, IXTC110N25T, IXTC13N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T, IXTC200N075T, IXTC200N085T, IXTC200N10T