IXTC96N25T Todos los transistores

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IXTC96N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTC96N25T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 158 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.031 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUSS220

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IXTC96N25T Datasheet (PDF)

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