IXTC96N25T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTC96N25T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 158 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSS220

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IXTC96N25T datasheet

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