IXTC96N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTC96N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 158 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSS220
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros