IXTH102N15T Todos los transistores

 

IXTH102N15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTH102N15T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 455 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTH102N15T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 8.2. Size:124K  ixys
 ixth10p50 ixtt10p50 ixth11p50 ixtt11p50.pdf pdf_icon

IXTH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)Standard Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeIXTH/IXTT 10P50 -500 V -10 A 0.90 Avalanche RatedIXTH/IXTT 11P50 -500 V -11 A 0.75 TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C 10P50 -10 A11P50 -

 8.3. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTH102N15T

 8.4. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTH102N15T

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | MDU1532SURH | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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