Справочник MOSFET. IXTH102N15T

 

IXTH102N15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH102N15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH102N15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH102N15T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:105K  ixys
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdfpdf_icon

IXTH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 8.2. Size:124K  ixys
ixth10p50 ixtt10p50 ixth11p50 ixtt11p50.pdfpdf_icon

IXTH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)Standard Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeIXTH/IXTT 10P50 -500 V -10 A 0.90 Avalanche RatedIXTH/IXTT 11P50 -500 V -11 A 0.75 TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C 10P50 -10 A11P50 -

 8.3. Size:64K  ixys
ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdfpdf_icon

IXTH102N15T

 8.4. Size:299K  ixys
ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdfpdf_icon

IXTH102N15T

Другие MOSFET... IXTF1N250 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , IXTH03N400 , IRFP064N , IXTH102N20T , IXTH10N100D , IXTH10N100D2 , IXTH10P50P , IXTH10P60 , IXTH110N10L2 , IXTH110N25T , IXTH120P065T .

History: 2SK2654

 

 
Back to Top

 


 
.