IXTH10P60 Todos los transistores

 

IXTH10P60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTH10P60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTH10P60 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:124K  ixys
 ixth10p50 ixtt10p50 ixth11p50 ixtt11p50.pdf pdf_icon

IXTH10P60

VDSS ID25 RDS(on)Standard Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeIXTH/IXTT 10P50 -500 V -10 A 0.90 Avalanche RatedIXTH/IXTT 11P50 -500 V -11 A 0.75 TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C 10P50 -10 A11P50 -

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 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTH10P60

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

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 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTH10P60

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 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTH10P60

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History: HSP6016 | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | VS3610AI | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
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