IXTH10P60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH10P60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH10P60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH10P60 даташит

 7.1. Size:124K  ixys
 ixth10p50 ixtt10p50 ixth11p50 ixtt11p50.pdf pdf_icon

IXTH10P60

VDSS ID25 RDS(on) Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode IXTH/IXTT 10P50 -500 V -10 A 0.90 Avalanche Rated IXTH/IXTT 11P50 -500 V -11 A 0.75 TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C -500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M -500 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V D ID25 TC = 25 C 10P50 -10 A 11P50 -

 8.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTH10P60

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 10N

 8.2. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTH10P60

 8.3. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTH10P60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTF280N055T, IXTH02N250, IXTH03N400, IXTH102N15T, IXTH102N20T, IXTH10N100D, IXTH10N100D2, IXTH10P50P, IRF840, IXTH110N10L2, IXTH110N25T, IXTH120P065T, IXTH12N100L, IXTH12N100Q, IXTH12N120, IXTH12N140, IXTH130N10T