IXTH6N100D2 Todos los transistores

 

IXTH6N100D2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTH6N100D2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTH6N100D2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:184K  ixys
 ixta6n100d2-ixtp6n100d2-ixth6n100d2.pdf pdf_icon

IXTH6N100D2

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTA6N100D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N100D2 RDS(on) 2.2 IXTH6N100D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ -

 7.1. Size:588K  ixys
 ixth6n120 ixtt6n120.pdf pdf_icon

IXTH6N100D2

IXTH 6N120 VDSS = 1200 VHigh VoltageIXTT 6N120 ID25 = 6 APower MOSFET RDS(on) = 2.6 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPreliminary Data SheetTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 A

 7.2. Size:116K  ixys
 ixth6n150.pdf pdf_icon

IXTH6N100D2

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTH6N150ID25 = 6APower MOSFET RDS(on) 3.5 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDTabVGSS Continuous 20 VSVGSM Transient 30

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History: VP0808 | SSF11NS70UF | VS3625DB | SI4368DY | IXTP15N50L2 | SIS902DN | SWK15N04V

 

 
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