IXTH96N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTH96N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 158 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTH96N25T

IXTH96N25T Datasheet (PDF)

6.1. Size:198K ixys
ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

6.2. Size:239K ixys
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Liste

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