IXTH96N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTH96N25T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 625 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 96 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 114 nC
Tiempo de subida (tr): 158 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTH96N25T
IXTH96N25T Datasheet (PDF)
ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf
IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient
ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf
IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
