Справочник MOSFET. IXTH96N25T

 

IXTH96N25T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH96N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 158 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH96N25T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH96N25T Datasheet (PDF)

 6.1. Size:198K  ixys
 ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf pdf_icon

IXTH96N25T

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

 6.2. Size:239K  ixys
 ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf pdf_icon

IXTH96N25T

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTH76P10T , IXTH80N20L , IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P , IXTH90N15T , IXTH90P10P , IXTH96N20P , IRF840 , IXTH96P085T , IXTJ36N20 , IXTK100N25P , IXTK102N30P , IXTK110N20L2 , IXTK110N30 , IXTK120N20P , IXTK120N25 .

History: 2SK2412 | 16N10 | MTW7N80E | FQD7N10LTF

 

 
Back to Top

 


 
.