IXTK100N25P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTK100N25P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTK100N25P

IXTK100N25P Datasheet (PDF)

..1. Size:274K ixys
ixtk100n25p ixtt100n25p ixtq100n25p.pdf

IXTK 100N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTQ 100N25P ID25 = 100 APower MOSFET IXTT 100N25P RDS(on) 27 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VGD (TAB)DSVGSM Transient 30 VID

8.1. Size:193K ixys
ixtk102n65x2 ixtx102n65x2.pdf

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK102N65X2Power MOSFET ID25 = 102AIXTX102N65X2 RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Contin

8.2. Size:225K ixys
ixtk102n30p.pdf

VDSS = 300 VIXTK 102N30PPolarHTTMID25 = 102 APower MOSFET RDS(on) 33 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 102 A D(TAB)SID(

8.3. Size:261K inchange semiconductor
ixtk102n30p.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTK102N30PFEATURESWith To-3PL packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: