IXTK100N25P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK100N25P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK100N25P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK100N25P даташит

 ..1. Size:274K  ixys
 ixtk100n25p ixtt100n25p ixtq100n25p.pdf pdf_icon

IXTK100N25P

IXTK 100N25P VDSS = 250 V PolarHTTM IXTQ 100N25P ID25 = 100 A Power MOSFET IXTT 100N25P RDS(on) 27 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V VGSS Continuous 20 V G D (TAB) DS VGSM Transient 30 V ID

 8.1. Size:193K  ixys
 ixtk102n65x2 ixtx102n65x2.pdf pdf_icon

IXTK100N25P

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTK102N65X2 Power MOSFET ID25 = 102A IXTX102N65X2 RDS(on) 30m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264P (IXTK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS Contin

 8.2. Size:225K  ixys
 ixtk102n30p.pdf pdf_icon

IXTK100N25P

VDSS = 300 V IXTK 102N30P PolarHTTM ID25 = 102 A Power MOSFET RDS(on) 33 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXTK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G ID25 TC = 25 C 102 A D (TAB) S ID(

 8.3. Size:261K  inchange semiconductor
 ixtk102n30p.pdf pdf_icon

IXTK100N25P

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTK102N30P FEATURES With To-3PL package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH88N15, IXTH88N30P, IXTH90N15T, IXTH90P10P, IXTH96N20P, IXTH96N25T, IXTH96P085T, IXTJ36N20, IRF540, IXTK102N30P, IXTK110N20L2, IXTK110N30, IXTK120N20P, IXTK120N25, IXTK120N25P, IXTK128N15, IXTK140N20P