IXTK600N04T2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTK600N04T2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 600 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXTK600N04T2 datasheet

 9.1. Size:583K  ixys
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IXTK600N04T2

IXTK 62N25 VDSS = 250 V High Current ID25 = 62 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 35 m N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 250 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G ID25 TC = 25 C62 A D IDM TC = 25 C, pulse width

Otros transistores... IXTK22N100L, IXTK250N10, IXTK32P60P, IXTK34N80, IXTK40P50P, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IXTK5N250, IRF4905, IXTK60N50L2, IXTK62N25, IXTK75N30, IXTK80N25, IXTK82N25P, IXTK88N30P, IXTK8N150L, IXTK90N15