IXTK600N04T2 Todos los transistores

 

IXTK600N04T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK600N04T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 600 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTK600N04T2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTK600N04T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK600N04T2

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

Otros transistores... IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , 2N7000 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 , IXTK82N25P , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 .

History: BUK9520-55A | BUK95150-55A | IXTK62N25 | APT5012WVR | BUK9529-100B | BUK9515-100A | BUK9518-55A

 

 
Back to Top

 


 
.