IXTK600N04T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTK600N04T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXTK600N04T2
IXTK600N04T2 Datasheet (PDF)
ixtk62n25.pdf

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width
Другие MOSFET... IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IRF4905 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 , IXTK82N25P , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 .
History: HGP046NE6AL | OSG65R074KT3ZF | HGM210N12SL
History: HGP046NE6AL | OSG65R074KT3ZF | HGM210N12SL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g