Справочник MOSFET. IXTK600N04T2

 

IXTK600N04T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK600N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK600N04T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK600N04T2

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK3102-01R | RFK25P10 | STA4470 | WMB70P02TS | SJMN380R65F | APT10050LVFR | STM8300

 

 
Back to Top

 


 
.