Справочник MOSFET. IXTK600N04T2

 

IXTK600N04T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK600N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 590 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK600N04T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK600N04T2

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

Другие MOSFET... IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IRF4905 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 , IXTK82N25P , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 .

 

 
Back to Top

 


 
.