IXTN62N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTN62N50L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXTN62N50L MOSFET
IXTN62N50L Datasheet (PDF)
ixtn62n50l.pdf

Preliminary Technical InformationIXTN62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM
Otros transistores... IXTN320N10T , IXTN32P60P , IXTN40P50P , IXTN46N50L , IXTN550N055T2 , IXTN5N250 , IXTN600N04T2 , IXTN60N50L2 , SKD502T , IXTN8N150L , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP01N100D , IXTP02N120P , IXTP02N50D , IXTP05N100 , IXTP05N100M .
History: IRFSL4620PBF | H7P0601DL | SVG103R0NSTR | IRF624B | BUK7909-75AIE | SM7003NSFH
History: IRFSL4620PBF | H7P0601DL | SVG103R0NSTR | IRF624B | BUK7909-75AIE | SM7003NSFH



Liste
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