IXTN62N50L - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTN62N50L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTN62N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN62N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ixys
 ixtn62n50l.pdf pdf_icon

IXTN62N50L

Preliminary Technical InformationIXTN62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Другие MOSFET... IXTN320N10T , IXTN32P60P , IXTN40P50P , IXTN46N50L , IXTN550N055T2 , IXTN5N250 , IXTN600N04T2 , IXTN60N50L2 , SKD502T , IXTN8N150L , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP01N100D , IXTP02N120P , IXTP02N50D , IXTP05N100 , IXTP05N100M .

History: UF640G-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.