IXTP2N100P Todos los transistores

 

IXTP2N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP2N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 800 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP2N100P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:65K  ixys
 ixtm2n100 ixtm2n100a ixtm2n95 ixtm2n95a ixtp2n100a ixtp2n95 ixtp2n95a.pdf pdf_icon

IXTP2N100P

 5.2. Size:76K  ixys
 ixta2n100 ixtp2n100.pdf pdf_icon

IXTP2N100P

High Voltage VDSS = 1000 VIXTA 2N100MOSFET ID25 = 2 AIXTP 2N100RDS(on) = 7 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 AIDM TC = 25C, pulse width limited by

 8.1. Size:113K  ixys
 ixta2n80 ixtp2n80.pdf pdf_icon

IXTP2N100P

VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFET IXTA 2N80ID25 = 2 AIXTP 2N80 RDS(on) = 6.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 A

 8.2. Size:183K  ixys
 ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf pdf_icon

IXTP2N100P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

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History: CS9N90FA9D | CS8N80FA9D | CS8N65A8H

 

 
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