3SK180-4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK180-4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SOT143

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3SK180-4 datasheet

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3SK180-4

Ordering number ENN2129B N-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate) 3SK180 High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit mm 2046A Features [3SK180] 1.9 High power gain and low noise figure. 0.95 0.95 High forward transfer admittance. 0.4 0.16 4 3 0 to 0.1 1 2 0.6 0.95 0.85 1 Drain 2.9 2 Source

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3SK180-4

3SK186 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK186 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 12 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pch 15

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