IXTP3N100D2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTP3N100D2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTP3N100D2

IXTP3N100D2 Datasheet (PDF)

5.1. Size:150K ixys
ixta3n100p ixth3n100p ixtp3n100p.pdf

IXTA3N100P VDSS = 1000VPolar VHVTMIXTH3N100P ID25 = 3APower MOSFET IXTP3N100P RDS(on) 4.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)

7.1. Size:562K ixys
ixta3n120 ixtp3n120.pdf

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

7.2. Size:175K ixys
ixta3n120 ixtp3n120 ixth3n120.pdf

High Voltage VDSS = 1200VIXTA3N120Power MOSFET ID25 = 3AIXTP3N120 RDS(on) 4.5 IXTH3N120N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VVGSS Continuous

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: