IXTP3N110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP3N110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXTP3N110 datasheet

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IXTP3N110

VDSS ID25 RDS(on) High Voltage IXTA 3N120 Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C3 A IDM TC =

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IXTP3N110

IXTA3N100P VDSS = 1000V Polar VHVTM IXTH3N100P ID25 = 3A Power MOSFET IXTP3N100P RDS(on) 4.8 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220 (IXTP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB)

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IXTP3N110

High Voltage VDSS = 1200V IXTA3N120 Power MOSFET ID25 = 3A IXTP3N120 RDS(on) 4.5 IXTH3N120 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1200 V VGSS Continuous

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