3SK180-5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK180-5
Código: DJ5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 15 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 7 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.03 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 50 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK180-5
3SK180-5 Datasheet (PDF)
3sk180.pdf
Ordering number:ENN2129BN-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate)3SK180High-Frequency General-Purpose AmplifierApplicationsApplications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit:mm2046AFeatures [3SK180]1.9 High power gain and low noise figure.0.95 0.95 High forward transfer admittance.0.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.851 : Drain2.92 : Source
3sk186.pdf
3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15
Otros transistores... 3SK162 , 3SK169P , 3SK169Q , 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , IRFP260N , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P .
