3SK180-5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3SK180-5
Маркировка: DJ5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 15 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A
Максимальная температура канала (Tj): 125 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 50 Ohm
Тип корпуса: SOT143
3SK180-5 Datasheet (PDF)
3sk180.pdf
Ordering number:ENN2129BN-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate)3SK180High-Frequency General-Purpose AmplifierApplicationsApplications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit:mm2046AFeatures [3SK180]1.9 High power gain and low noise figure.0.95 0.95 High forward transfer admittance.0.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.851 : Drain2.92 : Source
3sk186.pdf
3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15
Другие MOSFET... 3SK162 , 3SK169P , 3SK169Q , 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , IRFP260N , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P .
