3SK180-5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3SK180-5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT143
Аналог (замена) для 3SK180-5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
3SK180-5 даташит
3sk180.pdf
Ordering number ENN2129B N-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate) 3SK180 High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit mm 2046A Features [3SK180] 1.9 High power gain and low noise figure. 0.95 0.95 High forward transfer admittance. 0.4 0.16 4 3 0 to 0.1 1 2 0.6 0.95 0.85 1 Drain 2.9 2 Source
3sk186.pdf
3SK186 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK186 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 12 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pch 15
Другие MOSFET... 3SK162 , 3SK169P , 3SK169Q , 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , AO3400 , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P .
History: 3SK169P | 3SK39 | 3SK224 | 3SK219
History: 3SK169P | 3SK39 | 3SK224 | 3SK219
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent





