IXTP4N80P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP4N80P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXTP4N80P datasheet

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IXTP4N80P

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IXTP4N80P

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

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IXTP4N80P

X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40 V S ID25 TC

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 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTP4N80P

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