IXTP4N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTP4N80P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXTP4N80P
IXTP4N80P Datasheet (PDF)
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf
X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC
ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
Popular searches
rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281