IXTP4N80P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP4N80P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP4N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP4N80P даташит

 6.1. Size:64K  ixys
 ixtm4n80 ixtm4n80a ixtm4n90 ixtm4n90a ixtp4n80 ixtp4n80a ixtp4n90 ixtp4n90a.pdf pdf_icon

IXTP4N80P

 8.1. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP4N80P

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

 8.2. Size:313K  ixys
 ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP4N80P

X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40 V S ID25 TC

 8.3. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTP4N80P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTP42N25P, IXTP44N10T, IXTP44P15T, IXTP450P2, IXTP460P2, IXTP48N20T, IXTP48P05T, IXTP4N60P, SI2302, IXTP50N085T, IXTP50N20P, IXTP50N20PM, IXTP50N25T, IXTP50N28T, IXTP52P10P, IXTP55N075T, IXTP56N15T