IXTP6N50P MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IXTP6N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP6N50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXTP6N50P datasheet

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VDSS = 500 V IXTA 6N50P PolarHVTM ID25 = 6 A IXTP 6N50P Power MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30 V G S VGSM Transient 40 V (TAB) ID25 TC = 25 C6 A

6.1. Size:206K ixys
ixta6n50d2 ixtp6n50d2 ixth6n50d2.pdf pdf_icon

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 500V IXTA6N50D2 MOSFET ID(on) > 6A IXTP6N50D2 RDS(on) 500m IXTH6N50D2 N-Channel TO-263 AA (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSX TJ = 25 C to 150 C 500 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V PD TC = 25 C 300 W G D D (Tab) TJ - 55 .

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ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf pdf_icon

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Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 1000V IXTA6N100D2 MOSFET ID(on) > 6A IXTP6N100D2 RDS(on) 2.2 IXTH6N100D2 N-Channel TO-263 AA (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V PD TC = 25 C 300 W G D D (Tab) TJ -

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