IXTP70N085T Todos los transistores

 

IXTP70N085T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP70N085T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP70N085T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ixys
ixta70n085t ixtp70n085t.pdf pdf_icon

IXTP70N085T

Preliminary Technical InformationIXTA70N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP70N085T ID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 13.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C70 A

 6.1. Size:301K  cn vbsemi
ixtp70n075t2.pdf pdf_icon

IXTP70N085T

IXTP70N075T2www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Bac

 9.1. Size:252K  ixys
ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf pdf_icon

IXTP70N085T

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

 9.2. Size:177K  ixys
ixta76n075t ixtp76n075t.pdf pdf_icon

IXTP70N085T

Preliminary Technical InformationIXTA76N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP76N075T ID25 = 76 APower MOSFET RDS(on) 12 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C76 A

Otros transistores... IXTP60N20T , IXTP60N28TM-A , IXTP62N15P , IXTP64N055T , IXTP6N100D2 , IXTP6N50D2 , IXTP6N50P , IXTP70N075T2 , AON7403 , IXTP75N10P , IXTP76N075T , IXTP76N25T , IXTP76P10T , IXTP7N60P , IXTP7N60PM , IXTP80N10T , IXTP80N12T2 .

History: SE10080A | STF5N80K5

 

 
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